Accedi per vedere questo oggetto in altre lingue
Temperature and surface traps influence on the THz emission from InGaAs diodes
Monte Carlo simulations forecast Gunn-like oscillations at ~0.75-1.25 THz in InGaAs planar recessed diodes (slot diodes); however, up to date no experimental evidence of this effect has been observed. The effects of temperature and surface charges on the emission parameters from InGaAs diodes are analyzed by means of an ensemble Monte Carlo simulator. Cooling the device down to 77 K strongly impro…
Creatore
- Rodríguez Fernández, Alberto
- Íñiguez-de-la-Torre, Ignacio
- García Pérez, Óscar Alberto
- González Sánchez, Sergio
- Westlund, Andreas
- Per-Ake, Nilsson
- Grahn, Jan
- González Sánchez, Tomás
- Mateos López, Javier
- Pérez Santos, María Susana
Editore
- Institute of Physics Publishing
Argomento
- THz emission
- InGaAs diodes
Tipo di oggetto
- Article
Data
- 2016-10-04T07:58:25Z
- 2016-10-04T07:58:25Z
- 2015
- 2015
- 2016-10-04
- 2016-10-04
Creatore
- Rodríguez Fernández, Alberto
- Íñiguez-de-la-Torre, Ignacio
- García Pérez, Óscar Alberto
- González Sánchez, Sergio
- Westlund, Andreas
- Per-Ake, Nilsson
- Grahn, Jan
- González Sánchez, Tomás
- Mateos López, Javier
- Pérez Santos, María Susana
Editore
- Institute of Physics Publishing
Argomento
- THz emission
- InGaAs diodes
Tipo di oggetto
- Article
Data
- 2016-10-04T07:58:25Z
- 2016-10-04T07:58:25Z
- 2015
- 2015
- 2016-10-04
- 2016-10-04
Fornitore di contenuti
Aggregatore
Dichiarazione dei diritti del supporto in questo record (se non diversamente specificato)
- http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
Diritti
- info:eu-repo/semantics/openAccess
- CC Reconocimiento - No comercial - Sin obras derivadas 3.0 España
Data di creazione
- 2016-10-04T07:58:25Z
- 2016-10-04
Codice di identificazione
- oai:gredos.usal.es:10366/130650
- A. Rodríguez, I. Íñiguez-de-la-Torre, Ó. García-Pérez, S. García, A. Westlund, P-Å. Nilsson, J. Grahn T. González, J. Mateos, and S. Pérez; Temperature and surface traps influence on the THz emission from InGaAs diodes; Journal of Physics: Conference Series 647, 012039 [1-4] (2015)
- http://hdl.handle.net/10366/130650
- 10.1088/1742-6596/647/1/012039
Formato
- application/pdf
Lingua
- eng
Relazioni
- TEC2013-41640-R
- SA052U13
Anno
- 2015
Paese fornitore
- Spain
Nome della collezione
Pubblicato per la prima volta su Europeana
- 2017-07-07T14:05:10.098Z
Ultimo aggiornamento dal fornitore di contenuti
- 2017-07-07T14:05:10.098Z